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   ● 打壓還原集成一體化，解決擊穿在傳統(tǒng)工藝中生產(chǎn)效率低問題

   ● 國內(nèi)和國際上最大的40T單爐多晶硅電源系統(tǒng)

   ● 除采用傳統(tǒng)硅調(diào)功器以外，力源新創(chuàng)的IGBT模式，比起傳統(tǒng)的硅調(diào)功器，具有以下 優(yōu)勢：  

            * 功率因數(shù)高，可達(dá)0.95以上，解決了傳統(tǒng)硅調(diào)功器需要SVG功率因數(shù)補(bǔ)償裝置

            * 解決了硅調(diào)功器三相不平衡的問題

            * 設(shè)備配置更簡潔更簡單

            * 效率更高，比傳統(tǒng)硅調(diào)功器高2%

            *IGBT開關(guān)頻率15KHZ，控制速度更快

   ●  具有快速限流技術(shù)，避免原來容易出現(xiàn)跳閘現(xiàn)象

   ● 輸入電壓                    三相AC10kV±10%   50±1Hz

   ● 交流輸出                    三相變壓器輸出9繞組分別單獨(dú)控制

   ● 啟動(dòng)打壓電壓              12KV ，可定制

   ● 還原輸出電流              0～4600A，可定制

   ● 還原輸出電壓              0～2800V，可定制

   ● 穩(wěn)流精度                    ≤±0.2%

   ● 功率因數(shù)                    SCR最大電流下≥0.92；IGBT全范圍≥0.95

   ● SCR變壓器二次側(cè)每相輸出檔位    5檔

   ● IGBT模式檔位             2檔

   ● SCR控制方式              每組負(fù)載5組反并聯(lián)晶閘管倒級(jí)換檔及調(diào)壓加2組反并聯(lián)晶閘管打壓控制

   ● IGBT控制方式             PWM 斬波方式

   ● 保護(hù)功能                    過壓、過流、欠壓、短路、過熱等多項(xiàng)保護(hù)功能

   ● 冷卻方式                    水冷/風(fēng)冷可選

   ● 控制方式                    RS485、CAN、以太網(wǎng)等方式可選

   ● 外形尺寸                    根據(jù)客戶需求定制